onsemi 工业电机驱动器
安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。
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相关栅极驱动器
onsemi NCP51530 MOSFET栅极驱动器
700V高侧和低侧驱动器，具有2A电流驱动能力，适用于AC/DC电源。
onsemi NCP51513高侧和低侧驱动器
130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，提供直流-直流电源选项。
onsemi NCP51560隔离式双通道栅极驱动器
提供4.5A峰值拉电流和9A峰值灌电流输出能力
onsemi FAN8811T高侧和低侧栅极驱动器IC
栅极驱动器IC设计用于工作电压高达100V的高压、高速驱动MOSFET。
onsemi / Fairchild FAN7393A Half-Bridge Gate-Drive IC
Shutdown/programmable dead-time control functions, can drive MOSFETs & IGBTs operating up to +600V.
onsemi NCP81075双MOSFET栅极驱动器
高侧/低侧栅极驱动器，用于高电压、高速应用，工作电压高达180V。
onsemi NCP51563栅极驱动器
设计用于快速开关的隔离式驱动器，可驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。
onsemi NCP5106和NCP5109高压侧驱动器
高压、高侧和低侧驱动器，非常适合用于半桥和全桥转换器。
onsemi NCD83591电机驱动器
易于使用的多功能三相栅极驱动器，针对低物料清单成本进行了优化。
onsemi NCP51561 5kVRMS隔离式双通道栅极驱动器
隔离式双通道栅极驱动器分别提供 4.5A/9A拉电流和灌电流峰值电流。
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
完整的栅极驱动器和EliteSiC MOSFET产品组合，配对使用时可提高散热性能。
onsemi NCD57090和NCV57090 IGBT/MOSFET栅极驱动器
大电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器，具有5kVrms内部电流隔离。
相关电源模块
onsemi NFVA22512NP2T智能电源模块
为混合动力和电动汽车提供高性能逆变器输出级。
onsemi FSB50xxx 高级运动 SPM® 5 系列模块
全功能、高性能的逆变器输出级，用于交流感应、BLDC 及 PMSM 电机。
onsemi NFAL5065L4BT和NFAL7565L4BT SPM® 49功率模块
设计用于为BLDC和PMSM提供高性能逆变器输出级的智能功率模块。
onsemi NFAQ0560R43T智能电源模块 (IPM)
完全集成的逆变器功率级，带有一个高电压驱动器、六个IGBT和一个热敏电阻器。
onsemi NFAQ0860L3x智能功率模块
三相逆变器模块，设有一个高压驱动器、六个IGBT和一个热敏电阻器。
onsemi NFAM3065L4B/NFAM5065L4B智能功率模块
先进的运动SPM，提供具有全面特性的高性能逆变器输出级。
onsemi NFVA35065L32整流器
先进的自动化SPM模块，设有动态逆变器输出级，适用于混合动力和电动汽车。
onsemi FND43060T2 SPM® 45模块
为交流感应、BLDC和PMSM电机提供高性能逆变器解决方案。
onsemi 智能功率模块 (IPM)
高度集成的器件，在一个模块中集成了电源开关和栅极驱动器。
onsemi FSB50550BS Motion SPM® 5系列模块
性能卓越的逆变器输出级，适用于交流感应、BLDC及PMSM电机。
onsemi NFAP1060L3TT智能功率模块 (IPM)
完全集成的逆变器功率级，具有全面的保护功能。
onsemi NFAQ1060L33T和NFAQ1060L36T电源模块
完全集成的逆变器功率级，带有一个高电压驱动器、六个IGBT和一个热敏电阻器。
onsemi NFVA25012NP2T智能功率模块
集成了经过优化的内置IGBT栅极驱动，可最大限度地降低EMI和损耗。
onsemi FSB70550 高级运动 SPM® 7 模块
全功能、高性能的逆变器输出级，用于交流感应、BLDC 及 PMSM 电机。
onsemi NFL25065L4BT SPM® 2 32智能功率模块
为消费类、医疗和工业应用提供交错PFC输入功率级。
onsemi / Fairchild FSB50825AB智能电源模块
基于FRFET技术的逆变器解决方案，适用于小功率交流电机驱动应用。
onsemi / Fairchild Motion SPM® 3 Advanced Modules
Fully-featured and high-performance inverter output stage for AC Induction, BLDC, and PMSM motors.
onsemi / Fairchild 仙童半导体 Motion SPM® 模块
将驱动和保护电路集成在单片封装中，加快产品设计。
onsemi Motion SPM® 45 Modules
Compact and high-performance inverter solution for AC motor drives.
onsemi NFAM智能电源模块（IPM）
高度集成的紧凑型解决方案，旨在实现高效可靠的电机控制。
相关IGBT
onsemi FGHL40T120RWD 1200V 40A分立式IGBT
采用第7代IGBT技术，采用TO247三引脚封装。
onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT
采用 先进的第7代IGBT技术，采用TO247三引脚封装。
onsemi FGY100T120RWD IGBT
采用TO247 3引脚封装，结合了新颖的第7代IGBT技术。
onsemi FGHL75T65LQDT沟槽式IGBT
第4代低VCE(sat) IGBT技术可具有大电流能力。
相关MOSFET
onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench工艺研发而成的N沟道MV MOSFET。
onsemi NTMFSC1D6N06CL Dual Cool™ N通道MOSFET
通过封装的顶部和底部实现了增强散热能力。
onsemi 单N沟道功率MOSFET
小尺寸，设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on)和低电容。
onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET
可最大限度地降低导通损耗、裸片损耗、开关噪声、EMI，占位面积小。
onsemi 单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET
具有超低漏源导通电阻，可最大限度地降低导通损耗。
onsemi NTBGSxDxN15MC和NVBGSxDxN15MC N沟道MOSFET
具有150V漏极-源极电压 (VDSS) 和低QG/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。
onsemi PowerTrench® MOSFET
仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。
onsemi NTMFSC PowerTrench® MOSFET
具有低RDS(on)，同时保持了出色的开关性能，采用DFN-8封装。
onsemi NTMTSC1D5N08MC功率MOSFET
单N沟道MOSFET，占位面积小 (8mm x 8mm)，适用于紧凑型设计。
onsemi NTBLS4D0N15MC单N通道MOSFET
具有187A ID（最大值）、150V VDSS 、4.4mΩ（最大值，10V时），采用TO无引线 (TOLL) 封装。
onsemi N通道PowerTrench® MOSFET
PowerTrench®工艺将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。
onsemi FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs
Features superior switching performance and optimized on-state resistance.
onsemi NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET
属于1200V M3P平面SiC MOSFET系列。
onsemi NTBG025N065SC1 19mohm碳化硅MOSFET
采用 D2PAK-7L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
完整的栅极驱动器和EliteSiC MOSFET产品组合，配对使用时可提高散热性能。
onsemi NTBG060N065SC1 44mΩ碳化硅MOSFET
采用 D2PAK-7L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTBL045N065SC1 33mΩ碳化硅MOSFET
采用TOLL NTBL045N065SC1封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTH4L014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET
优化用于电源应用
onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTMT045N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET
采用TO-247-3L封装，运行速度快，坚固耐用。
onsemi 900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi 650V碳化硅 (SiC) MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NCV57001F IGBT栅极驱动器
具有内部电流隔离功能的单通道IGBT驱动器，设计用于提高系统效率。
onsemi 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET
与硅器件相比，具有出色的开关性能和高可靠性。
onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET
1200V、M3S平面器件，针对快速开关应用进行了优化。
相关放大器
onsemi NCx2006x运算放大器
提供轨到轨操作、3MHz带宽，有单、双和四通道配置可供选择。
onsemi NCx2191x精密运算放大器
具有低失调电压和零温度漂移。
onsemi USB Type-C™解决方案
除了取代旧版的USB标准，同时也取代Thunderbolt和DisplayPort等其他标准。
onsemi NCS2180x和NCV2180x精密运算放大器
单通道、双通道和四通道零漂移运算放大器，具有±10V低输入失调电压。
onsemi NCS21671电流检测放大器
采用零漂移架构，可检测电流，压降低至10mV。
onsemi NCxx333零漂移运算放大器
为前端放大器电路和电源管理设计提供了出色的模拟性能。
onsemi NCx2008x运算放大器
提供轨到轨操作、1.2MHz带宽，有单、双和四通道配置可供选择。
onsemi NCS21xR和NCV21xR分流监控器
电压输出型电流检测放大器，具有-0.3V至+26V的宽共模输入电压范围。
onsemi NCS199A电流感测放大器
测量分流电阻在 −0.3V 至 26V 共模电压范围内的电压。
onsemi NCx21871、NCx21872和NCx21874零漂移运算放大器
运算放大器的失调漂移低至0.4μV/°C，可提供符合AEC-Q100标准的选项。
onsemi NCS20282 7MHz双通道运算放大器
高精度运算放大器，具有宽带宽和关断特性。
onsemi NCx2003x运算放大器
具有高转换率、低电压和轨到轨输出的运算放大器。
onsemi NCS20164 8 MHz CMOS运算放大器
具有8MHz增益带宽和500µA低静态电流的放大器。
onsemi NCSx325运算放大器
采用零漂移架构，具有高精度性能。
onsemi NCx211R电流检测放大器
具有电压输出，采用双向零漂移架构，可实现低侧或高侧电流检测。
onsemi NCx2009x运算放大器
提供轨到轨操作、350kHz带宽，有单、双和四通道配置可供选择。
onsemi NCS2023x和NCV2023x运算放大器
具有2.7V至36.0V的宽电源电压范围和低至±0.95mv的输入失调电压。
onsemi NCS200x Rail-to-Rail Operational Amplifiers
Provide rail-to-rail output operation, and are available in single, dual, and quad configurations.
onsemi LMV321、NCV321, LMV358和LMV324 CMOS运算放大器
单通道、双通道和四通道低功耗CMOS运算放大器，具有轨到轨输出摆幅。
相关LDO
onsemi NCP711 LDO稳压器（具有PG电路）
具有极低静态电流、快速瞬态响应，以及高输入/输出电压范围。
onsemi 宽Vin/Vout低压差 (LDO) 稳压器
LDO具有超低IQ 、快速瞬态响应，以及高输入/输出电压范围。
onsemi NCP716 LDO线性稳压器
基于创新的电流控制频率折返方法，设计用于驱动 PFC 升压。
onsemi NCP730 CMOS LDO稳压器
具有低静态电流、快速瞬态响应以及高输入和输出电压范围。
onsemi NCP718 LDO稳压器
提供300mA低静态电流和宽输入电压范围（高达24V）的低压差稳压器。
相关SMPS
onsemi NCP106x & NCP107x High-Voltage Switchers
Integrated fixed frequency current mode controller with a 700V MOSFET and high level of integration.
onsemi NCP12711电流模式PWM控制器
一款固定频率峰值电流模式PWM控制器，用于单端电源转换器拓扑。
onsemi FOD848x光隔离IPM
将数字控制信号从控制器传递到智能功率模块 (IPM)。
onsemi NCP12700电流模式控制器
超宽输入PWM控制器，具有固定频率和峰值电流模式。
onsemi 用于低功耗离线 SMPS 的 NCP107x 高压开关稳压器
集成固定频率电流模式控制器和一个 700 V MOSFET。
