onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是具有出色特性的高性能器件。安森美 (onsemi) NVHL075N065SC1的典型RDS(on) 在栅-源电压 (VGS) 为18V时是57mΩ，为15V时是75mΩ。该器件具有超低栅极电荷 (QG(tot) =61nC) 和低输出电容 (Coss =107pF)，保证了快速开关和更低的功耗。
特性
- 典型值RDS(on) =57m（VGS = 18V时）
- 典型值RDS(on) =75m（VGS = 15V时）
- 超低栅极电荷 (QG(tot) =61nC)
- 低输出电容 (Coss =107pF)
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 该器件无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车板载充电器
- 汽车直流/直流转换器（用于EV/HEV）
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发布日期: 2023-11-08
| 更新日期: 2024-06-18