ROHM Semiconductor N沟道汽车级功率MOSFET
ROHM Semiconductor N沟道汽车级功率MOSFET,具有低导通电阻，耗散功率高达142W。该系列采用小型大功率封装，显著减小了安装面积。 这些MOSFET符合AEC-Q101标准和RoHS指令，不含卤素。ROHM N沟道汽车级功率MOSFET的理想应用包括 高级辅助驾驶系统 (ADAS)、车身、照明和信息娱乐。
特性
- 低导通电阻
- 耗散功率高达142W
- 小型、大功率封装，可减小安装面积
- 快速开关
- 符合 AEC-Q101
- 无卤素
- 符合RoHS指令
应用
- ADAS
- 信息娱乐
- 车身
- 照明
RF9x120/RQ3xxx0/RD3x0xx
ROHM推出了N沟道MOSFET (RF9x120BKFRA / RD3x0xxBKHRB / RQ3xxx0BxFRA)，它们具有低导通电阻，非常适合用于各种汽车应用，包括车门和座椅定位电机以及LED前大灯。
产品组合
改善了导通电阻
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发布日期: 2021-01-26
| 更新日期: 2025-02-26