ROHM Semiconductor RF4 P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RF4 P沟道功率MOSFET具有低导通电阻，采用大功率小型模具封装 (HUML2020L8)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。
特性
- 低导通电阻
- 大功率小型模具封装 (HUML2020L8)
- 无铅电镀；符合RoHS指令
- 无卤素
应用
- 开关
- 负载开关
相关产品
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
ROHM Semiconductor RQ7 P沟道功率MOSFET
具有低导通电阻，采用小型台积电8表面贴装封装。
ROHM Semiconductor QH8J P沟道功率MOSFET
具有低导通电阻，采用 大功率小型模具封装（TSMT8）。
ROHM Semiconductor UT6J Pch功率MOSFET
具有低导通电阻，采用 大功率小型模具封装。
ROHM Semiconductor SH8J P沟道功率MOSFET
具有低导通电阻，采用小型表面贴装封装 (SOP8)。
系列
市场应用
改善了导通电阻
View Results ( 2 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|
| RF4G060ATTCR |  |
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | 40 V | 6 A | 40 mOhms |
| RF4L040ATTCR | |
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | 60 V | 4 A | 89 mOhms |
发布日期: 2021-01-26
| 更新日期: 2022-03-11