ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。 此系列P沟道MOSFET的栅源电压为 ±20V。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的最大漏源导通电阻分别为240mΩ 和99mΩ 。此系列P沟道MOSFET符合RoHS标准，且不含卤素。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的漏源电压分别为-80V和-60V。该系列P沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关和电机驱动器。
应用
- 开关
- 电机驱动器
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| 物料编号 | 数据表 | 下降时间 | 正向跨导 - 最小值 | Id-连续漏极电流 | Pd-功率耗散 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 | 上升时间 | 最小工作温度 | 最大工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ3N025ATTB1 |  |
15 ns | 2.4 S | 7 A | 14 W | 13 nC | 240 mOhms | 6.4 ns | - 55 C | + 150 C |
| RQ5L030ATTCL | |
31 ns | 4 S | 3 A | 1 W | 17.2 nC | 99 mOhms | 17 ns | - 55 C | + 150 C |
发布日期: 2025-07-30
| 更新日期: 2025-08-21