ROHM Semiconductor RS6/RH6铜夹片封装N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RS6/RH6铜夹片封装N沟道功率MOSFET能够在降低封装电阻的情况下实现大电流处理能力。HSOP-8和HSMT-8封装元件同时提供低导通电阻和栅极电荷电容，可最大限度地降低能量损耗。这些MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，非常适合用于采用24V/36V/48V电源工作的驱动应用。
特性
- 采用铜夹片封装，在降低封装电阻的情况下实现高电流处理能力
- 同时具有低导通电阻和栅极电荷电容（权衡关系），最大限度地减少能量损失
- 提供紧凑型3333和5060封装尺寸（HSOP-8和HSMT-8外壳样式）
- 40V/60V/80V/100V/150V击穿电压（24V/36V/48V输入，考虑尖峰和噪声容限）
- 非常适合使用24V/36V/48V电源运行的驱动器应用
应用
- 电源
- 服务器
- 基站
- 电机驱动设备
- 工业
- 消费电子产品
规范
- 漏源击穿范围：40V至150V
- 连续漏极电流范围：25A至210A
- 漏源电阻范围：1.34mΩ至73 mΩ
- 栅源范围：±20V
- 栅源阈值范围：2.5V或4V
- 栅极电荷范围：16.7nC至67nC
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- 耗散功率范围：59W至104W
视频
结构比较
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发布日期: 2023-05-19
| 更新日期: 2025-10-10