ROHM Semiconductor SH8J P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor SH8J P沟道功率MOSFET具有低导通电阻,采用小型表面贴装封装 (SOP8)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用,如电源和电机驱动电路。
特性
- 同类领先的低导通电阻
- 低导通电阻
- 扩展系列提高了可靠性,同时减少了各种应用中的设计负载
- 小型表面贴装封装 (SOP8)
- 新设计提高了质量
- 无铅电镀;符合RoHS指令
- 无卤素
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低导通电阻,功率耗散高达142 W,采用小型大功率封装。
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具有低导通电阻,采用 大功率小型模具封装(TSMT8)。
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发布日期: 2021-01-26
| 更新日期: 2022-03-11