ROHM Semiconductor SH8K双通道Nch+Nch功率MOSFET
ROHM Semiconductor SH8K双通道Nch+Nch功率MOSFET具有两个40V或60V MOSFET，采用小型表面贴装SOP8封装，具有八个端子。SH8K系列具有低导通电阻，最大RDS (on) 为8.4mΩ、12.4mΩ或19.4mΩ。其他特性包括2W功率耗散和±8.5A、±10.5A或±13.5A漏极电流 (ID)。这些符合RoHS指令的MOSFET无铅、无卤，采用无铅电镀。ROHM Semiconductor SH8K双通道Nch+Nch功率MOSFET非常适合用于开关应用。
特性
- 双通道Nch+Nch极性
- 8个端子
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (SOP8)
- 非常适合用于开关应用
- 无铅镀层
- 符合RoHS指令
- 无卤素
规范
- 漏极－源极电压 (VDSS)：40V或60V
- RDS (on) ：8.4mΩ、12.4mΩ或19.4mΩ（最大值）
- 漏极电流ID：±8.5 A、±10.5或±13.5 A
- 功率耗散：2W
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