Vishay / Siliconix Siliconix第四代EF系列MOSFET
Vishay Siliconix第四代EF系列MOSFET具有极低的品质因数 (FOM)，旨在实现高性能开关和高效率。MOSFET FOM通过导通电阻 (R (DS)ON) 乘以栅极电荷 (Qg) 计算得到。这些MOSFET基于Vishay第四代系列超级结技术，在VGS=10V时具有0.088Ω至0.225Ω的低典型导通电阻范围，此外，栅极电荷低至21nC。为提高开关性能，这些器件还具有低有效输出电容（Co(er) 和Co(tr)）， 因此可降低导通与开关损耗，从而节省能源。
特性
- 第4代E系列技术
- 低品质因数 (R(DS)ON) x Qg)
- 低有效电容 (Co(er))
- 较低的开关和导通损耗
- 额定雪崩能量 (UIS)
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至+150°C
- 封装选项：PowerPAK 8 x 8、TO-220AB
- 符合RoHS指令
- 无卤素
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度放电 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）
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发布日期: 2019-08-06
| 更新日期: 2023-12-31