STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器
STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨，并且可以轻松由集成自举二极管供电。大电流能力、短传播延迟、出色的延迟匹配以及集成低压差稳压器使STDRIVEG611成为驱动高速GaN的理想选择。
STMicroelectronics STDRIVEG611具有针对硬开关应用量身定制的UVLO、互锁功能以避免交叉导通条件，以及带有SmartSD的过电流比较器。输入引脚的扩展范围允许轻松与控制器接口。待机引脚在非活动期间或突发模式下可降低功耗。STDRIVEG611在-40°C至125°C的工业温度范围内运行。该器件采用紧凑型QFN 4mmx5mmx1mm封装，间距为0.5mm。
特性
- 高压轨最高可达600V
- 在整个温度范围内，dV/dt瞬态抗扰度为±200V/ns
- 驱动器具有独立的灌电流/片和源路径，以实现最佳驱动
- 2.4A和1.2Ω灌电流
- 1.0A和3.7Ω源电流
- 6V栅极驱动电压的高侧和低侧线性稳压器
- 5µs高侧启动时间和高频率（>1MHz）
- 45ns，匹配10ns，最小输出脉冲15ns
- 硬开关操作和内部自举二极管
- 用于过电流检测的比较器，具有智能关闭功能
- VCC 、VS 和VLS 的UVLO功能
- 关闭、待机、过温，故障信号引脚
- 分开的PGND用于开尔文源驱动和电流分流兼容性
- 3.3V至20V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
应用
- 适用于家用电器、泵和压缩机的电机驱动器
- 工厂自动化、伺服和工业驱动器
- 电动自行车和电动工具
- D级别音频放大器
- DC/DC和谐振转换器、PFC、电池充电器和适配器
方框图
视频
开发工具
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611栅极驱动器评估板
该板采用STDRIVEG611栅极驱动器，优化用于高压增强型GaN HEMT。
STMicroelectronics EVSTDRVG611MC 评估板
允许用户评估STDRIVEG611半桥GaN栅极驱动器。
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发布日期: 2024-11-22
| 更新日期: 2025-10-06