STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard™ K6功率MOSFET具有出色的RDS(on) x 面积和低总栅极电荷（Qg），可实现高开关速度和低损耗。集成ESD保护二极管提高了STD80N240K6 MOSFET的整体耐用性，高达2类人体模型（HBM）。与上一代的MDmesh K5相比，MDmesh K6 MOSFET具有更低的阈值电压，可实现更低的驱动电压，从而降低功耗并提高效率，主要用于零瓦待机应用。STD80N240K6优化用于基于反激式拓扑的照明应用，例如LED驱动器和HID灯。该器件还非常适用于平板显示器的适配器和电源。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET采用紧凑DPAK（TO-252）A2型封装。
特性
- 漏极-源极电压（VDS）：800V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON))：197mΩ（典型值）
- 总栅极电荷（Qg）：25.9nC
- 连续漏极电流（ID）
- 16A（TC = 25°C时）
- 10A（TC = 100°C时）
- 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1µA
- 栅极体漏电流（IGSS）：±1µA
- 栅极阈值电压（VGS (th)）：3.5V
- 脉冲漏极电流（IDM）：35A
- 总功耗（PTOT）：105W（TC = 25°C时）
- 100% 经雪崩测试
- 齐纳保护
- 工作结温范围（Tj）：-55°C至150°C
- DPAK（TO-252）A2型封装
应用
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和一体式计算机的适配器
- LED照明元件
- 显示面板
内部电路
测试电路
包装外形
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发布日期: 2022-04-18
| 更新日期: 2024-06-25