STMicroelectronics STGWT28IH125DF 沟槽式栅极场终止型 IGBT
意法半导体STGWT28IH125DF 是一款采用专利先进沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。传导和开关损耗方面的性能均得到优化。同时封装了一个正向压降小的续流二极管。因而这款产品能最大限度地提升任何共振和软开关应用的效率。
特性
- Designed for soft commutation only
- +175°C maximum junction temperature
- Minimized tail current
- 2.0V (typ.) collector-emitter voltage @ IC= 25A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Low thermal resistance
- Lead-free package
应用
- Induction heating
- Microwave ovens
- Resonant converters
Schematic Diagram
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发布日期: 2015-02-03
| 更新日期: 2022-03-11