600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
了解更多

结果: 26
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
数据表
3,710库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
数据表
74库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
数据表
990库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
2,210库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,166库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
906库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,072库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
747库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
802库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
数据表
344库存量
1,000预期 2026/4/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,076库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
161库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,106预期 2026/2/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
406库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
496库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
292库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel