STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET基于终极MDmesh K6技术，基于20年的超级结技术STM经验。此款高压N沟道功率MOSFET具有超低栅极电荷和出色的RDS(on) x 面积。ST STP80N240K6 800 V功率MOSFET具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。
特性
- 全球最佳RDS(on) x 面积
- 全球最佳FOM（品质因数）
- 超低栅极电荷
- 100%经雪崩测试
- 齐纳保护
应用
- 基于反激式拓扑的应用
- LED照明
- 充电器
- 适配器
电路图
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发布日期: 2021-08-05
| 更新日期: 2024-06-25