EPCOS / TDK CeraLink®电容器
TDK CeraLink®电容器采用获得专利的抗铁电电容器技术，该技术基于电容随电压的增加而变大的材料。该技术使得这些电容器非常适合用于缓冲电路应用。该器件具有低ESL和ESR特性，同时支持更高开关频率以及采用性能更稳健的半导体（高速IGBT对比MOSFET）。TDK CeraLink电容器的制造复杂性更低，开关频率高，芯片面积通常比超级结MOSFET小，因此具有理想的高性价比。这类解决方案的成本比MOSFET解决方案低。仅用于系统集成时，这些电容器降低了半导体因系统方法引起的峰值过压而受损的风险。该缓冲功能使这些半导体保持在安全工作区。
CeraLink产品组合
EPCOS CeraLink电容器是一套高度紧凑的解决方案，用于基于SiC和GaN半导体的快速开关转换器的缓冲电路和直流链路。这些器件采用锆钛酸镧铅 (PLZT) 陶瓷材料。与传统陶瓷电容器相比，CeraLink产品在应用电压下具有最大电容，电容甚至还随纹波电压的增加而成比例增加。
提供四种CeraLink设计。薄型 (LP) 系列的电容范围为0.25µF至1µF，额定电压范围为500VDC至900VDC。焊接引脚 (SP) 版本的电容范围为5µF至20µF，额定电压范围为500VDC至900VDC。柔性组件 (FA) 器件的电容范围为0.25µF至10µF，额定电压范围为500VDC至900VDC。这些表面贴装 (SMD) 器件的额定电容为0.25uF，额定电压为500VDC。
特性
- 高电容密度
- 极低ESR和低ESL
- ESR随温度变化大幅降低
- 大电流密度、有效纹波电压降低能力
- 有效电容随电压上升而增加
- 能够进行高温漂移
- 高频下损耗低
- 支持快速开关半导体
- 支持在系统层面进一步缩小电动电子产品
- 适用于高达和高于10MHz的开关频率
- 铜内部电极材料特性有助于高频开关和低损耗，可加快压摆速度，提高Imax。
- 由于材料选择，漏电流超低
- 随频率增加，电介质损耗降低
- 端子用于焊接和现代快速压配技术
- 随着直流电压向上偏移至工作电压，电容值随之增大
- 紧凑的外壳，可选择典型电源模块，用于工业和汽车应用
- 特殊类型，用于集成到电源模块 (IGBT/MOSFET/SiC) 中
规范
- 绝缘电阻>1GΩ，因此漏电流低，特别是在高温下
- 极低ESL：<3.5nH
- 工作温度范围：-40°C至+125°C（短时间高达+150°C），也适合用于SiC和GaN
电容器技术概况
CeraLink目标应用
视频
特色电容器
EPCOS / TDK CeraLink™ SMD电容器
设计用于快速开关半导体，优化用于高达几MHz的高频应用。
EPCOS / TDK CeraLink™ Flex组件电容器
高纹波电流能力和温度范围；低ESL、ESR、电介质吸收和功率损耗。
EPCOS / TDK CeraLink™ LP（薄型）系列
具有大纹波电流耐受能力和低等效串联电感 (ESL)的特性。
相关解决方案
EPCOS / TDK 汽车直流-直流转换器解决方案
包括CeraLink直流链路电容器、片式NTC和片式压敏电阻器。
发布日期: 2013-01-10
| 更新日期: 2024-01-05