NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™驱动参考设计
NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™驱动参考设计演示基于六个GD3160栅极驱动器的三相逆变器电路。GD3160是一款先进的单通道高压隔离式栅极驱动器，增强了驱动和保护碳化硅 (SiC) MOSFET或IGBT的功能，并且功能安全。RDGD3160I3PH5EVB支持SPI菊花链通信，可独立与三个高侧栅极驱动器和三个低侧栅极驱动器进行编程和通信。该参考设计包括故障管理和所有支持电路。该评估板的其他支持特性包括 去饱和短路检测、IGBT/SiC温度检测、直流链路总线电压监控、相电流检测以及电机解析器激励和信号处理连接电路。
The RDGD3160I3PH5EVB包含FRDM-KL25Z用于连接PC的自由开发板。Flex GUI软件需要安装在PC上，该PC通过SPI寄存器与GD3160通信，采用菊花链或独立配置。FlexGUI软件允许用户在无需任何软件开发的情况下配置GD3160器件，并在单相上进行短路 (SC) 或双脉冲测试 (DPT)。
RDGD31603PHSEVM设计用于连接安森美半导体VE-Trac SiC 模块（不含）或任何其他具有相同引脚分配的MOSFET模块的兼容占位面积。该参考设计还与MPC 5775x-EVB 微控制器板（不含）兼容，支持使用NXP软件示例进行完全电机控制。
NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM参考设计可用作为电动汽车开发符合ASIL-D标准的完整高压大功率牵引电机 逆变器的基础。
特性
- 能够在U相上执行SC和DPT测试
- 设计用于并装配GD3160栅极驱动器和保护电路的评估板
- 能够连接到混合驱动SiC模块，进行完整的三相评估和开发
- 菊花链SPI通信（三个高侧和三个低侧栅极驱动器）
- 可变反激式VCC电源，具有GND基准和-3.9V VEE电源
- 轻松访问电源、接地和信号测试点
必要设备
- 微控制器板，用于SPI通信
- 建议FRDM-KL25Z （含）、MPC 5777C-DEVB （不含）、MPC 5775x- EVB（不含）
- 安森美半导体NVXR17S90M2SP VE-Trac SiC模块或其他兼容MOSFET模块（ (not included)
- 兼容直流链路电容器
- 高压电源，带保护屏蔽和听觉保护
- 电流传感器，用于监控各相电流
- 12V、1.0A直流电源
- 4通道示波器，带适当的隔离式探头
软件
NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM参考设计需要 Windows PC工作站，具有可用的USB端口和Windows 7、10或更高版本。另外还需要从NXP获得以下软件：
板载
NXP Semiconductors MPC5777C Power Architecture®微控制器
高性能多核MCU，优化用于工业和汽车发动机控制应用。
NXP Semiconductors FS6500系统基础芯片
多输出SMARTMOS PMIC，设有CAN灵活数据收发器和/或LIN收发器。
相关开发工具
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板布局
框图
设置示例 (FRDM-KL25Z)
设置示例 (MPC 577c-DEVB)
设置示例 (MPC5744P-MCU)
