返回onsemi

onsemi M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美半导体M3S 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。安森美半导体M3S 1200V MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。M3S具有低开关损耗，采用TO247-4LD封装，可实现低公共源电感。

特性

  • TO247-4LD封装，可实现低共源极电感
  • 15V至18V栅极驱动
  • M3S技术，22mhm RDS(ON)，具有低EON和EOFF损耗
  • 100%经雪崩测试
  • EON损耗低
  • 18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驱动器电路
  • 功率密度更高
  • 提高了对意外进入电压尖峰或振铃的稳健性

应用

  • 交流-直流转换
  • 直流-交流转换
  • 直流-直流转换
  • UPS
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统

资源

相关产品

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET

优化用于快速开关应用，具有22mΩ 的低漏极-源极导通电阻。 

Learn More关于onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET View Products与onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET相关

onsemi NTH4L碳化硅（SiC）MOSFET

1200V M3S平面SiC MOSFET系列。

Learn More关于onsemi NTH4L碳化硅（SiC）MOSFET View Products与onsemi NTH4L碳化硅（SiC）MOSFET相关

Evaluation Board

onsemi EVBUM2878G-EVB 评估板

设计用于评估1200 V个采用F2封装的M3S全桥4-PACK模块。

Learn More关于onsemi EVBUM2878G-EVB 评估板 View Products与onsemi EVBUM2878G-EVB 评估板相关

onsemi EVBUM2880G-EVB 评估板

旨在评估1200V M3S半桥2包F1封装模块。

Learn More关于onsemi EVBUM2880G-EVB 评估板 View Products与onsemi EVBUM2880G-EVB 评估板相关

内部电路图

原理图 - onsemi M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET
View Results ( 2 ) Page
物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 Id-连续漏极电流 封装 / 箱体
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S 数据表 1.2 kV 30 mOhms 68 A TO-247-4
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S 数据表 1.2 kV 30 mOhms 68 A TO-247-4
发布日期: 2021-09-27 | 更新日期: 2025-01-20