onsemi NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi) NTH4L025N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有 安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。
特性
- 典型值RDS(on) =19m（VGS =18V时）
- 典型值RDS(on) =25m（VGS =15V时）
- 超低栅极电荷 (QG(tot) =164nC)
- 低电容 (Coss = 278pF)
- 100%经雪崩测试
- TJ =175°C
- 该器件不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），无铅2LI（二级互连）
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 能量存储
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发布日期: 2022-08-23
| 更新日期: 2023-07-27