onsemi NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi) NTH4L075N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合其标准。
特性
- 典型值RDS(on) =57m（VGS =18V时）
- 典型值RDS(on) =75m（VGS =15V时）
- 超低栅极电荷(QG (tot) =61nC)
- 低输出电容 (Coss =107pF)
- 100%经过雪崩测试
- TJ =175°C
- 该器件不含卤素，符合RoHS指令，具有7a、无铅2LI豁免（二级互连）
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 能量存储
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发布日期: 2022-08-23
| 更新日期: 2024-06-19