onsemi NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET
安森美 (onsemi) NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET 采用 TO-247-3L封装,运行速度快,坚固耐用。安森美 (onsemi) NTHL015N065SC1器件提供的电介质击穿场强度达10倍之高,电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有 安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项,专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。
特性
- 典型值RDS(on) =12m(VGS =18V时)
- 典型值RDS(on) =15m(VGS =15V时)
- 超低栅极电荷 (QG(tot) =283nC)
- 低电容高速开关 (Coss = 430pF)
- 100%经雪崩测试
- 该器件不含卤素,符合RoHS指令(7a豁免),无铅2LI(二级互连)
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发布日期: 2022-08-23
| 更新日期: 2023-07-27