onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NVH4L015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET 与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NVH4L015N065SC1具有低导通电阻,紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 符合AEC-Q101汽车级标准
- 额定电压:650 V
- 最大RDS(on)=18mΩ(Vgs =18V、ID =75A时)
- 高速开关,低电容
- 100%经UIL测试
- 器件符合RoHS指令
相关MOSFET
完整的栅极驱动器和EliteSiC MOSFET产品组合,配对使用时可提高散热性能。
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可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
发布日期: 2023-01-05
| 更新日期: 2024-06-18