onsemi NVXK2VR40WXT2碳化硅 (SiC) 模块
安森美 NVXK2VR40WXT2碳化硅 (SiC) 模块是一款1200V、40mΩ 和55A三相桥式电源模块，采用双列直插式封装 (DIP)。该SiC模块结构紧凑，具有低模块总电阻。NVXK2VR40WXT2电源模块是符合AEC-Q101和AQG324标准的汽车级 器件。该电源模块不含铅，符合ROHS指令和UL94V-0标准。NVXK2VR40WXT2 SiC模块的温度传感和最低热阻使其非常适合用于xEV应用中的直流-直流和车载充电器。
特性
- DIP碳化硅 (SiC) 三相桥式电源模块
- 漏极-源极电压（VDSS）：1200V
- 连续漏极电流（ID）：55A
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：40mΩ（典型值）
- 工作结温（TJ）范围：-55°C至175°C
- 爬电距离和电气间隙符合IEC60664−1和IEC 60950−1标准
- 设计紧凑，实现低模块总电阻
- 模块串行化，实现完全可追溯性
- 无铅
- 符合RoHS指令和UL94V-0标准
- 符合AEC-Q101和AQG324的汽车级标准
应用
- PFC，用于xEV应用中的车载充电器
- 用于EV-PHEV的11kW至22kW车载充电器
SiC MOSFET三相桥式模块
相关模块
onsemi NVXK2PR80WXT2碳化硅 (SiC) 模块
1200V、80mΩ 和31A全桥电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。
onsemi NVXK2TR40WXT碳化硅 (SiC) 模块
1200V、40mΩ 和27A双路半桥EliteSiC电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。
onsemi NVXK2TR80WDT碳化硅 (SiC) 模块
1200V、80mΩ 和20A双路半桥EliteSiC电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。
onsemi NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块
1200V、80mΩ 三相桥式电源模块，采用A 双列直插式封装 (DIP)。
发布日期: 2024-08-02
| 更新日期: 2024-08-28