Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管
Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用塑料包覆成型DFN封装。这些射频晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5GHz。Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。这些晶体管采用4.5mm x 4.0mm封装，符合RoHS指令。应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和通用应用。
规范
- 工作频率范围：2.5 GHz至5 GHz
- 工作漏极电压：48 V
- 最大8.7W输出功率(PSAT)：（3.6GHz时）
- 漏极效率：72.9%（最大值，3.6 GHz时）
- 效率调谐P3dB增益：18.8 dB (3.6GHz时）
- 4.5mm x 4.0mm DFN封装
应用
- WCDMA/LTE
- 微蜂窝基站
- 微蜂窝基站
- 小型蜂窝
- 有源天线
- 5G大规模MIMO
- 通用型应用
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发布日期: 2020-09-22
| 更新日期: 2024-08-26