Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),采用DFN封装。这些Qorvo射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在+48V工作电压下提供20W P3dB输出功率。QPD0007晶体管的工作频率范围为 DC至5GHz，在3.5GHz时具有73%漏极效率。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小型蜂窝、有源天线和5 G大规模MIMO。
特性
- 工作频率范围：直流至5GHz
- 工作漏极电压：48 V
- 最大20W输出功率(P3 dB)：（3.6GHz时）
- 漏极效率：73%（最大值，3.5 GHz时）
- 效率：19dB，3.5GHz时调低增益
- 4.5mm x 4mm DFN封装
应用
- WCDMA/LTE
- 微蜂窝基站
- 微蜂窝基站
- 小型蜂窝
- 有源天线
- 5 G大规模MIMO
- 通用型应用
评估板的信息
Qorvo QPD0007评估板
设计用于评估单级QPD0007 GaN射频晶体管的特性和功能。
相关晶体管
Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管
单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。
发布日期: 2020-11-23
| 更新日期: 2024-08-27