ROHM Semiconductor RQ7 P沟道功率MOSFET

ROHM Connect RQ7 Pch功率MOSFET具有低导通电阻,采用小型台积电8表面贴装封装。罗姆提供从小信号产品到800 V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用,如电源和电机驱动电路。

特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 (TSMT8)
  • 无铅电镀;符合RoHS指令

应用

  • 开关

系列

ROHM Semiconductor RQ7 P沟道功率MOSFET

市场应用

ROHM Semiconductor RQ7 P沟道功率MOSFET

改善了导通电阻

ROHM Semiconductor RQ7 P沟道功率MOSFET
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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR 数据表 40 V 8 A 16.5 mOhms 10.6 nC
RQ7P035ATTCR RQ7P035ATTCR 数据表 100 V 3.5 A 111 mOhms 40 nC
RQ7G080ATTCR RQ7G080ATTCR 数据表 40 V 8 A 18.2 mOhms 37 nC
RQ7L050ATTCR RQ7L050ATTCR 数据表 60 V 5 A 39 mOhms 38 nC
发布日期: 2021-01-26 | 更新日期: 2024-02-05