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ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (QC)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。

ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管的最高结温为175°C。

特性

  • 短恢复时间
  • 降低了对温度的依赖性
  • 高速开关
  • 反向电压范围 (VR)：650V至1200V
  • 连续正向电流范围 (IF)：5A至20A
  • 总功耗 (PD)：88W至210W
  • 正向浪涌电流 (IFSM)：23A至79A
  • 连续反向电流范围 (IR)：1.2µA至20.0µA
  • 电容总电荷范围 (QC)：9nC至65nC
  • 开关时间 (tc)：12ns至19ns
  • 最高结温 (Tj)：175°C
  • 储存温度范围 (Tstg)：-55°C至+175°C
  • TO-220ACG封装

应用

  • PFC升压拓扑
  • 二次侧整流
  • 数据中心
  • PV功率调理器

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引脚分配和内部电路

ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

封装外形

机械图纸 - ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管
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物料编号 数据表 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流
SCS215KGC17 SCS215KGC17 数据表 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA
SCS205KGC17 SCS205KGC17 数据表 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA
SCS215AGC17 SCS215AGC17 数据表 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA
SCS208AGC17 SCS208AGC17 数据表 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA
SCS210KGC17 SCS210KGC17 数据表 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA
SCS220KGC17 SCS220KGC17 数据表 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA
SCS210AGC17 SCS210AGC17 数据表 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA
SCS212AGC17 SCS212AGC17 数据表 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA
SCS220AGC17 SCS220AGC17 数据表 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA
SCS206AGC17 SCS206AGC17 数据表 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA
发布日期: 2021-10-29 | 更新日期: 2022-03-11