ROHM Semiconductor 碳化硅 (SiC) 功率器件
ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。
特性
- 较高的击穿电压（场强是Si功率器件的10倍）
- 较高的工作温度范围
- 高速切换性能（优于Si IGBT）
- 每单位面积内的导通电阻较低（显著降低了功耗）
应用
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- UPS
- 电动车车载充电器
- 感应加热装置
- 电机驱动
- 火车
- 风电变流器
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发布日期: 2016-09-27
| 更新日期: 2025-02-20