STMicroelectronics 汽车级碳化硅功率MOSFET
STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。 该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。 这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 非常高的工作温度（TJ=+200°C）
- 速度非常快且坚固的内置体二极管
- 低电容
应用
- 逆变器牵引
- EV/HEV用直流-直流转换器
- 车载充电器 (OBC)
SIC MOSFET产品组合
内容流
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| SCT016H120G3AG |  |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package |
| SCT011HU75G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package |
| SCT012W90G3-4AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package |
| SCT020HU120G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package |
| SCT020W120G3-4AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package |
| SCT025W120G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package |
| SCT040HU120G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package |
| SCT025H120G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package |
| SCT012H90G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
| SCT040W120G3AG | |
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package |
发布日期: 2020-06-25
| 更新日期: 2026-02-03