汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。   该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。  这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

结果: 18
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
数据表
58库存量
1,200在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
数据表
632库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
数据表
596库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
数据表
347库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
数据表
364库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
数据表
484库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
数据表
11库存量
1,000预期 2027/5/21
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表
77库存量
1,200预期 2027/2/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
数据表
48库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
数据表
6库存量
1,000预期 2027/5/7
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
数据表
5库存量
600预期 2027/1/29
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
数据表
1,197在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表
1,997预期 2027/2/12
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
数据表
996预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
数据表
1,200预期 2027/2/5
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
1,800在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
数据表
1,199预期 2026/9/28
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101