STMicroelectronics 碳化硅功率MOSFET
STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。
特性
- 汽车级 (AG) 设备
- 超高温处理能力（最大TJ=200°C）
- 非常低的开关损耗（随温度变化最小），允许在超高开关频率下工作
- 温度范围内的低导通电阻
- 易于驱动
- 非常快速和强大的本体二极管
应用
- 太阳能逆变器，UPS
- 电机驱动
- 高压DC-DC转换器
- 开关电源
SiC MOSFET产品组合
ST STPOWER SiC MOSFET产品组合提供了专门为汽车和工业应用设计的先进封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK）。
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发布日期: 2015-04-08
| 更新日期: 2026-02-03