Texas Instruments LMG3100R0x集成驱动器GaN FET
Texas Instruments LMG3100R0x集成驱动器氮化镓(GaN)FET是1.7mΩ GaN FET和驱动器,带有高侧电平移位器和自举电路。可以使用两个LGM3100器件形成半桥,无需外部电平移位器。GaN FET和驱动器组件具有内置电源轨欠压 锁定(UVLO)保护和内部自举电源电压钳位能力,以防止过驱(>5.4V)。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案,包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D级别音频放大器。特性
- 集成1.7mΩ(LMG3100R017)或4.4mΩ(LMG3100R044)GaN FET/驱动器
- 100V连续、120V脉冲电压额定值
- 集成高侧电平移位和自举
- 两个LMG3100可以形成半桥,无需外部电平移位器
- 5V外置偏置电源
- 支持3.3V和5V输入逻辑电平
- 转换速度高,电平波动小
- 栅极驱动器可达10MHz开关频率
- 内部自举电源电压钳位,防止GaN FET过载
- 电源轨欠压锁定保护
- 低功率功耗
- 优化封装,便于PCB布局
- 顶部暴露QFN封装,便于顶部散热
- 底部大面积暴露焊盘,便于底部散热
- 零反向恢复
应用
- 降压、升压和降压升压转换器
- LLC转换器
- 太阳能逆变器
- 电信和服务器电源
- 电机驱动器
- 电动工具
- D级别音频放大器
规范
- 90V连续电压额定值
- 100V脉冲电压额定值
- 5V外置偏置电源
- 3.3V至5V输入逻辑电平
- 6.5mmx4mmx0.89mm尺寸
简化框图
发布日期: 2024-02-22
| 更新日期: 2025-08-08
