Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET
Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。这些器件具有10V漏源电压。
特性
- 低漏源导通电阻
- 高速开关特性，低电容
- 增强模式：Vth=3V至4V（VDS=10V）
规范
- 最大栅极漏电流：±1µA
- 输入电容 (CISS) 为2250pF、1635pF和1370pF
- 最大栅极阈值电压：3V至4V
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650V功率MOSFET具有0.033ω（典型值）的低漏极-源极导通电阻。
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK125V65Z,LQ |  |
MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI | 24 A | 125 mOhms | 40 nC | 190 W |
| TK170V65Z,LQ | |
MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI | 18 A | 170 mOhms | 29 nC | 150 W |
| TK110N65Z,S1F | |
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI | 24 A | 110 mOhms | 40 nC | 190 W |
| TK155A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI | 18 A | 155 mOhms | 23 nC | 40 W |
| TK190A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI | 15 A | 190 mOhms | 25 nC | 40 W |
| TK110A65Z,S4X | |
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI | 24 A | 110 mOhms | 40 nC | 45 W |
| TK210V65Z,LQ | |
MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI | 15 A | 210 mOhms | 25 nC | 130 W |
发布日期: 2020-11-23
| 更新日期: 2024-11-26