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Toshiba CUZ系列齐纳二极管

Toshiba CUZ系列齐纳二极管具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型USC封装。CUZ系列具有200mW和600W功耗。Toshiba CUZ系列齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用。

特性

  • 小型封装
  • E24系列具有VZ的典型电压
  • 储存温度范围：-55°C至+150°C

封装和内部电路

应用电路图 - Toshiba CUZ系列齐纳二极管

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具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型S-Mini封装。

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具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型USM封装。

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采用各种封装，具有±12、±20或±30静电放电电压。

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物料编号 数据表 齐纳电流 Zz - 齐纳阻抗 Vz - 齐纳电压
CUZ12V,H3F CUZ12V,H3F 数据表 100 nA 30 Ohms 12 V
CUZ16V,H3F CUZ16V,H3F 数据表 100 nA 35 Ohms 16 V
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F 数据表 100 nA 70 Ohms 24 V
CUZ30V,H3F CUZ30V,H3F 数据表 100 nA 100 Ohms 30 V
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F 数据表 100 nA 100 Ohms 36 V
CUZ5V6,H3F CUZ5V6,H3F 数据表 1 uA 30 Ohms 5.6 V
CUZ6V2,H3F CUZ6V2,H3F 数据表 2.5 uA 30 Ohms 6.2 V
CUZ6V8,H3F CUZ6V8,H3F 数据表 1.5 uA 30 Ohms 6.8 V
CUZ8V2,H3F CUZ8V2,H3F 数据表 100 nA 30 Ohms 8.2 V
CUZ20V,H3F CUZ20V,H3F 数据表 100 nA 70 Ohms 20 V
发布日期: 2021-03-31 | 更新日期: 2025-10-23