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Toshiba MUZ系列齐纳二极管

Toshiba MUZ系列齐纳二极管具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型USM封装。MUZ系列具有150mW和600W功耗。Toshiba MUZ系列齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用。

特性

  • 小型封装
  • E24系列具有VZ的典型电压
  • 储存温度范围：-55°C至+150°C

封装和内部电路

应用电路图 - Toshiba MUZ系列齐纳二极管

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物料编号 数据表 Vz - 齐纳电压 Zz - 齐纳阻抗 齐纳电流
MUZ16V,LF MUZ16V,LF 数据表 16 V 35 Ohms 100 nA
MUZ36V,LF MUZ36V,LF 数据表 36 V 100 Ohms 100 nA
MUZ12V,LF MUZ12V,LF 数据表 12 V 30 Ohms 100 nA
MUZ20V,LF MUZ20V,LF 数据表 20 V 70 Ohms 100 nA
MUZ24V,LF MUZ24V,LF 数据表 24 V 70 Ohms 100 nA
MUZ30V,LF MUZ30V,LF 数据表 30 V 100 Ohms 100 nA
MUZ5V6,LF MUZ5V6,LF 数据表 5.6 V 30 Ohms 1 uA
MUZ6V2,LF MUZ6V2,LF 数据表 6.2 V 30 Ohms 2.5 uA
MUZ6V8,LF MUZ6V8,LF 数据表 6.8 V 30 Ohms 1.5 uA
MUZ8V2,LF MUZ8V2,LF 数据表 8.2 V 30 Ohms 100 nA
发布日期: 2021-03-31 | 更新日期: 2022-03-11