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Toshiba MSZ系列齐纳二极管

Toshiba MSZ系列齐纳二极管具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型S-Mini封装。MSZ系列具有200mW和600W功耗。Toshiba MSZ系列齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用。

特性

  • 小型封装
  • E24系列具有VZ的典型电压
  • 储存温度范围：-55°C至+150°C

封装和内部电路

应用电路图 - Toshiba MSZ系列齐纳二极管

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具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型USC封装。

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具有±12、±20或±30静电放电电压，采用小型USM封装。

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采用各种封装，具有±12、±20或±30静电放电电压。

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物料编号 数据表 Vz - 齐纳电压 齐纳电流 Zz - 齐纳阻抗
MSZ20V,LF MSZ20V,LF 数据表 20 V 100 nA 70 Ohms
MSZ24V,LF MSZ24V,LF 数据表 24 V 100 nA 70 Ohms
MSZ30V,LF MSZ30V,LF 数据表 30 V 100 nA 100 Ohms
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF 数据表 5.6 V 1 uA 30 Ohms
MSZ6V2,LF MSZ6V2,LF 数据表 6.2 V 2.5 uA 30 Ohms
MSZ6V8,LF MSZ6V8,LF 数据表 6.8 V 1.5 uA 30 Ohms
MSZ8V2,LF MSZ8V2,LF 数据表 8.2 V 100 nA 30 Ohms
MSZ12V,LF MSZ12V,LF 数据表 12 V 100 nA 30 Ohms
MSZ16V,LF MSZ16V,LF 数据表 16 V 100 nA 35 Ohms
MSZ36V,LF MSZ36V,LF 数据表 36 V 100 nA 100 Ohms
发布日期: 2021-03-31 | 更新日期: 2022-03-11