Toshiba 齐纳二极管

Toshiba齐纳二极管采用各种封装,具有±12、±20或±30静电放电电压。这些齐纳二极管具有150mW、200mW和600W功率耗散。Toshiba齐纳二极管非常适合用于电压浪涌保护应用,采用USM、USC、ESC和S-Mini封装。

特性

  • 小型USM、USC、ESC和S-Mini封装
  • 静电放电电压:±12、±20或±30
  • 与E24系列相对应的VZ典型电压
  • 存放温度范围: -55°C至150°C
发布日期: 2021-05-18 | 更新日期: 2025-10-23