特性
- 在小范围内提供强大的电源保护解决方案
- 保持低导通电阻,产生最小热量
- 高效封装提高了散热能力
- 提供应用说明和其他材料,以便设计
- 采用电子保险丝,有助于满足新保护标准(IEC-62368-1等)
框图
电源保护电路解决方案
外部静电放电 (ESD)、异常电源输入和热插拔期间的过压浪涌通常会给系统造成问题。为了保护宝贵的数据和电源管理集成电路 (PMIC) 免受这些损坏,将电子保险丝IC、ESD保护二极管、齐纳二极管和肖特基势垒二极管相结合,非常有效。
Toshiba电子保险丝IC在单一封装中实现了多种保护功能,如超高速短路保护以及过流、过压和浪涌电流抑制。另外,由于它已达到IEC 62368-1 (G.9)标准,因此可以提供比以往更简单、更强大的保护电路。
此外,高脉冲峰值电流ESD保护二极管或齐纳二极管可用于抑制从几纳秒到几毫秒的ESD浪涌和瞬态电压。通过与肖特基势垒二极管 (SBD) 结合使用,可以构建更强大的保护电路,从而防止负电压并防止反向电流。
电源保护框图
配电开关解决方案
为电压转换选择电源开关和低压差 (LDO) 稳压器对于低电压/大电流电源控制尤其重要。
在某些情况下,低电压线路不符合许多常见负载开关的最低电压要求。推荐的负载开关ICIC TCK207AN 仅在0.75V电压下工作,用于低压电源开关。它还具有21mΩ的低导通电阻,输出电流高达2.0A。建议也使用Toshiba具有低导通电阻的小型 MOSFET,并可采用各种封装和配置。
如果电源轨本身还不够,建议使用一个LDO稳压器。例如,低功耗LDO TCR3U系列具有0.8V至5.0V的宽输出电压范围和低电流消耗。各种内置功能可降低静态电流并改善瞬态响应。
大电流LDO TCR15AG系列采用双电源技术,输出电流高达1.5A,具有0.6V至3.6V的宽输出电压范围和超低压差。LDO稳压器非常适合用于提供具有最小压差的非常精确的电压轨,并且几乎适合用于任何设计。
配电框图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| TCKE800NA,RF | ![]() |
热交换电压控制器 eFuse IC, Auto retry, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC |
| TCR3UG33A,LF | ![]() |
低压差稳压器 LDO Linear Voltage Regulator .3A 3.3V |
| TCKE805NL,RF | ![]() |
热交换电压控制器 eFuse IC, Latch type, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP |
| SSM3K35AMFV,L3F | ![]() |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V |
| TCK206G,LF | ![]() |
电源开关 IC - 配电 PC Load Switch IOUT:2A VIN:0.75-3.6 |
| TCR15AG10,LF | ![]() |
低压差稳压器 |
| TCKE812NA,RF | ![]() |
热交换电压控制器 eFuse IC, Auto retry, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP |
| DF2B5M4CT,L3F | ![]() |
ESD保护二极管/TVS二极管 ESD protection diode .3pF 5.0V |
| SSM3J338R,LF | ![]() |
MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A |
| SSM3K324R,LF | ![]() |
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF |
发布日期: 2020-06-03
| 更新日期: 2024-11-15

