Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案

Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案包括各种产品系列,采用瞬态电压抑制器 (TVS)、肖特基势垒二极管 (SBD)、低压差 (LDO) 稳压器、负载开关IC和新型功能强大的电子保险丝IC,可满足最新要求。这些SSD 可以比传统硬盘驱动器 (HDD) 更快地解析数据。随着SSD技术的改进,它将需要能够满足日益严格的电源需求的电源电路,以及保护功能,确保重要数据安全,无故障。 Toshiba提供各种负载开关和MOSFET,用于控制电源输入、保护IC和设计用于在热插拔期间处理异常输入电源情况和过压浪涌的二极管。

特性

  • 在小范围内提供强大的电源保护解决方案
  • 保持低导通电阻,产生最小热量
  • 高效封装提高了散热能力
  • 提供应用说明和其他材料,以便设计
  • 采用电子保险丝,有助于满足新保护标准(IEC-62368-1等)

框图

Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案

电源保护电路解决方案

外部静电放电 (ESD)、异常电源输入和热插拔期间的过压浪涌通常会给系统造成问题。为了保护宝贵的数据和电源管理集成电路 (PMIC) 免受这些损坏,将电子保险丝IC、ESD保护二极管、齐纳二极管和肖特基势垒二极管相结合,非常有效。

Toshiba电子保险丝IC在单一封装中实现了多种保护功能,如超高速短路保护以及过流、过压和浪涌电流抑制。另外,由于它已达到IEC 62368-1 (G.9)标准,因此可以提供比以往更简单、更强大的保护电路。

此外,高脉冲峰值电流ESD保护二极管或齐纳二极管可用于抑制从几纳秒到几毫秒的ESD浪涌和瞬态电压。通过与肖特基势垒二极管 (SBD) 结合使用,可以构建更强大的保护电路,从而防止负电压并防止反向电流。

电源保护框图

Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案

配电开关解决方案

为电压转换选择电源开关和低压差 (LDO) 稳压器对于低电压/大电流电源控制尤其重要。

在某些情况下,低电压线路不符合许多常见负载开关的最低电压要求。推荐的负载开关ICIC TCK207AN 仅在0.75V电压下工作,用于低压电源开关。它还具有21mΩ的低导通电阻,输出电流高达2.0A。建议也使用Toshiba具有低导通电阻的小型 MOSFET,并可采用各种封装和配置。

如果电源轨本身还不够,建议使用一个LDO稳压器。例如,低功耗LDO TCR3U系列具有0.8V至5.0V的宽输出电压范围和低电流消耗。各种内置功能可降低静态电流并改善瞬态响应。

大电流LDO TCR15AG系列采用双电源技术,输出电流高达1.5A,具有0.6V至3.6V的宽输出电压范围和超低压差。LDO稳压器非常适合用于提供具有最小压差的非常精确的电压轨,并且几乎适合用于任何设计。

配电框图

Toshiba 分立式固态硬盘 (SSD) 解决方案
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物料编号 数据表 描述
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF 数据表 热交换电压控制器 eFuse IC, Auto retry, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A,LF 数据表 低压差稳压器 LDO Linear Voltage Regulator .3A 3.3V
TCKE805NL,RF TCKE805NL,RF 数据表 热交换电压控制器 eFuse IC, Latch type, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F 数据表 MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
TCK206G,LF TCK206G,LF 数据表 电源开关 IC - 配电 PC Load Switch IOUT:2A VIN:0.75-3.6
TCR15AG10,LF TCR15AG10,LF 数据表 低压差稳压器
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF 数据表 热交换电压控制器 eFuse IC, Auto retry, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP
DF2B5M4CT,L3F DF2B5M4CT,L3F 数据表 ESD保护二极管/TVS二极管 ESD protection diode .3pF 5.0V
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF 数据表 MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF 数据表 MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
发布日期: 2020-06-03 | 更新日期: 2024-11-15