Toshiba TK095N65Z5硅N沟道(DTMOSVI) MOSFET
Toshiba TK095N65Z5硅N沟道 (DTMOSVI) MOSFET是一款采用TO-247封装的650V、95m Ω 高速MOSFET。TK095N65Z5设计用于开关稳压器应用，具有快速恢复时间（典型值为115ns）和低漏源导通电阻（典型值为0.079Ω 。）该MOSFET具有高速开关特性和低电容。
特性
- 快速反向恢复时间: 115ns（典型值）
- 低漏源导通电阻[RDS(ON)]：0.079Ω（典型值）
- 高速开关特性，电容更低
- 增强模式：Vth=3.5V至4.5V（VDS =10V、ID =1.27mA）
- DTMOS第4代代
规范
- 漏极-源极电压：650V（最大值）
- 最大栅极-源极电压：±30V
- 漏极电流：
- 最大直流：29A
- 最大脉冲：116A
- 最大功耗：230W
- 单脉冲雪崩
- 最大能量：342mJ
- 最大电流：5.8 A
- 反向漏极电流
- 最大直流：29A
- 最大脉冲：116A
- 最大栅极阈值电压：4.5V
- 典型输入电容：2880pF
- 总栅极电荷：50nC（典型值）
- 栅极电阻：3Ω（典型值）
- 最高通道温度：+150 °C
- 热阻
- 通道到外壳：0.543°C/W
- 通道到环境：50°C/W
- 最大安装扭矩：0.8Nm
- 15.94 mm x 20.95 mm x 5.02 mm TO-247封装
封装和内部电路
相关MOSFET
Toshiba Dtmosvi MOSFET
650V功率MOSFET具有0.033ω（典型值）的低漏极-源极导通电阻。
发布日期: 2024-03-12
| 更新日期: 2024-04-10