Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET
Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101标准，采用紧凑的薄型TSON封装。XPN12006NC具有低漏极-源极导通电阻、低漏电流和增强模式。
Toshiba XPN12006NC U-MOSVIII-H功率MOSFET非常适合用于开关稳压器、直流-直流转换器、电机驱动器和汽车应用。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 小型、薄型封装
应用
- 汽车
- 开关稳压器
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器
规范
- 低漏源导通电阻RDS(ON)=9.8mΩ（典型值）(VGS=10V)
- 低漏电流：IDSS=10µA（最大值） (VDS=60V)
- 增强模式：Vth=1.5V至2.5V（VDS=10V，ID=0.2mA）
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内部电路
发布日期: 2020-09-23
| 更新日期: 2024-11-22