Vishay Semiconductors EL系列高压MOSFET
Vishay Semiconductors EL系列高压MOSFET是N沟道MOSFET，可降低开关和传导损耗。这些高压MOSFET具有低品质因数 (FOM)、低输入电容和低栅极电荷。EL高压MOSFET的工作电压为650V漏源电压 (VDS) ，采用单一配置。这些高压MOSFET具有无钳位电感开关 (UIS) 雪崩能量等级。典型应用包括服务器和电信电源、照明、焊接、感应加热、电机驱动器和电池充电器。
特性
- 低FOM (Ron x Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 减少了开关和导通损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量等级 (UIS)
规范
- 650VDS（ 最大 结温 (TJ)）
- 0.105Ω（25°C时RDS典型值 ）
- 最大栅极电荷 (Qg) 范围：74nC至342nC
- 源极充电荷 (Qgs) 范围：14nC至34nC
- 栅极-漏极电荷 (Qgd) 范围：13nC至57nC
- 单配置
- 二极管正向电压：1.2V
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明:
- 高强度放电 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业：
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
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发布日期: 2018-05-28
| 更新日期: 2023-03-11