Vishay / Siliconix SiHP065N60E 600V E系列功率MOSFET

Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列功率MOSFET采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术。E系列功率MOSFET具有低栅极电荷时间导通电阻。SiHP065N60E具有超低导通电阻，与先前的600V E系列相比降低了30%，并将栅极电荷减少了44%，从而可实现更低的导通和开关损耗以节约能源。SiHP065N60E可为电信、企业和工业等电力应用提供高效率。与用于电力应用的同类最接近的MOSFET相比，品质因数 (FOM) 低 25%。Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列设计用于承受雪崩模式中的过压瞬变，保证极限值经过100%无钳位电感开关(UIS)测试。SiHP065N60E MOSFET采用符合RoHS指令的无卤素TO-220AB封装。