Wolfspeed 750V分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed 750V分立式碳化硅MOSFET具有更高击穿电压，提供更大的设计余量，支持客户应用。这些MOSFET采用薄型设计（采用TO-247-4 LP封装）和表面贴装技术（采用TO-263-7 XL封装），可实现高系统功率密度。这使得设计人员能够为其应用选择正确的零件。 Wolfspeed 750V MOSFET有助于在各种电源系统中实现高效的功率转换。这些系统包括高性能工业电源、电动汽车（ev）转换器中的储能系统以及EV HVAC电机驱动器。
特性
- 可提供符合AEC-Q101汽车标准的选项
- 在整个工作温度范围内具有高击穿电压
- 高速开关，低输出电容
- 高阻断电压、低RDS(on)
- 快速体二极管，具有低反向恢复特性(Qrr)
- 提供Gen 4 选项
应用
- 燃料电池电动汽车DC/DC转换器
- 电动汽车和工业暖通空调电机驱动器
- 工业电机控制
- 电动汽车车载充电器
- 电动汽车快速充电基础设施
- 工业电源
- 高压直流-直流转换器
- 传动系牵引逆变器
- 太阳能和储能系统
规范
- 750 V 的闭塞电压
- 15 mΩ至60 mΩ电阻范围
- 功率耗散范围：126W至262W
- TO-247-4LP和TO-263-7封装
-
电流范围：35 A至80 A
- 工作温度范围：55 °C至175 °C
数据手册
- E4M0025075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0045075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0060075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0015075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0015075J2 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0025075J2 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0045075J2 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- E4M0015075J2 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- C3M0025075K1 碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- C3M0045075K1 碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
- C3M0060075K1 碳化硅功率MOSFET，N通道增强模式
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发布日期: 2024-05-09
| 更新日期: 2025-03-12