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ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG宽SOA N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG宽SOA N沟道功率MOSFET
10/23/2026
该产品具有扩展的安全工作区域，有助于抑制二次击穿。
ROHM Semiconductor ESDxxVFM瞬态电压抑制器
ROHM Semiconductor ESDxxVFM瞬态电压抑制器
10/23/2026
这些是可靠性高的小模压器件，具有硅外延平面结构。
ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR汽车场止沟槽IGBT
ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR汽车场止沟槽IGBT
10/22/2026
这些器件具有低开关损耗和低传导损耗。
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR汽车场止沟槽IGBT
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR汽车场止沟槽IGBT
10/22/2026
这些器件具有低开关损耗和低传导损耗。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor RN789FM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN789FM PIN二极管
11/18/2025
小型模塑封装，适用于自动增益控制电路和天线放大器/衰减器。
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor 机器人技术
ROHM Semiconductor 机器人技术
10/13/2025
面向智能运动、传感、电源和机器人控制的半导体解决方案。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
08/21/2025
汽车等级二极管采用超小型封装，适用于高频开关。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
08/21/2025
一款硅外延平面型超快恢复二极管，具有低VF 和低开关损耗特性。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
08/20/2025
采用超小型模塑封装，具有低电容，适用于高频开关应用。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
08/19/2025
这些设备采用小功率模塑封装，适用于电压调节应用。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
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    STMicroelectronics TN4035HA-8GY Automotive Grade SCR Thyristor
    STMicroelectronics TN4035HA-8GY Automotive Grade SCR Thyristor
    11/09/2026
    High-performance switching device designed for automotive power and protection applications.
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    11/05/2026
    集成各种 电源和控制组件，优化PCB大小和系统成本。
    Texas Instruments ESD551/ESD551-Q1双向ESD二极管
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    10/27/2026
    用于电源线、数据线和I/O端口的单通道双向ESD二极管。
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    10/23/2026
    这些是可靠性高的小模压器件，具有硅外延平面结构。
    ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG宽SOA N沟道功率MOSFET
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    10/23/2026
    该产品具有扩展的安全工作区域，有助于抑制二次击穿。
    ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR汽车场止沟槽IGBT
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    10/22/2026
    这些器件具有低开关损耗和低传导损耗。
    ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR汽车场止沟槽IGBT
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    10/22/2026
    这些器件具有低开关损耗和低传导损耗。
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    10/19/2026
    具有低导通电阻、极低栅极阈值电压和快速开关性能。
    Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管
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    10/14/2026
    50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，采用28V电源轨供电，工作频率范围为30MHz至1215MHz。
    Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
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    10/06/2026
    该器件是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT，工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz。
    Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管
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    10/06/2026
    220W分立式GaN-on-SiC HEMT，工作频率为1.2GHz至1.4GHz。
    Littelfuse AK6-FB轴向引线式TVS二极管
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    10/05/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK8-FB轴向引线式TVS二极管
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    10/05/2026
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    Littelfuse LTKAK1.5-L TVS二极管
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    10/05/2026
    钳位电压低于MOV和GDT等替代技术。 
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    10/02/2026
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    09/22/2026
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    80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
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    09/16/2026
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    onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
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    09/14/2026
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    Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
    Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
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