分离式半导体类型
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ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor RN789FM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN789FM PIN二极管
11/18/2025
小型模塑封装，适用于自动增益控制电路和天线放大器/衰减器。
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
08/21/2025
汽车等级二极管采用超小型封装，适用于高频开关。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
08/21/2025
一款硅外延平面型超快恢复二极管，具有低VF 和低开关损耗特性。
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
08/20/2025
采用超小型模塑封装，具有低电容，适用于高频开关应用。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
08/19/2025
这些设备采用小功率模塑封装，适用于电压调节应用。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
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    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    09/01/2026
    Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    08/27/2026
    具有微处理器驱动支持和高抗噪的敏感型SCR。
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    08/25/2026
    全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    08/25/2026
    具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
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    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    08/17/2026
    Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
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    08/17/2026
    Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    08/14/2026
    Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    08/14/2026
    Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    08/14/2026
    Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    08/12/2026
    适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08/12/2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    08/11/2026
    具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    08/10/2026
    专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    08/10/2026
    设计用于高效大功率开关应用。
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    08/04/2026
    用于CAN、CAN FD、CAN SIC和CAN XL网络的汽车级ESD保护二极管。
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    07/30/2026
    设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    07/30/2026
    具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    07/20/2026
    节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
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