Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术,符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33(SOT8002-3)SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术,采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET,使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装,使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET,使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET
04/14/2025
专为各种应用中的高效电源管理而设计的60V和100V MOSFET。
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
04/01/2025
这些设备采用沟槽MOSFET技术,具有非常低的阈值电压和非常快的开关速度。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解,形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 热插拔和软起动专用CCPAK ASFET
Nexperia 热插拔和软起动专用CCPAK ASFET
01/08/2025
单个器件具有可靠线性模式、增强SOA和低RDS(on)。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术,采用LFPAK56E封装。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET,具有低Qrr,实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
采用沟槽MOSFET技术的小型AEC-Q101合规SMD塑料封装。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
通过AEC-Q101认证的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)采用小型SMD封装。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET将增强SOA结合在紧凑的2mmx2mm占位面积中,
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
02/28/2024
设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
02/28/2024
采用节省空间的LFPAK56封装,非常适合无刷直流电机控制应用。 
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
02/23/2024
设计和测试符合AEC-Q101的要求,具有高性能和高耐用性。
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双电源SO8)封装。
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双电源SO8)封装。
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
02/27/2023
设计用于实现超高性能和可靠性。
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onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
07/30/2026
Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.
ROHM Semiconductor 600V超接合点(SJ)MOSFET
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07/21/2026
紧凑、扁平封装选项,提供出色的散热性能。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
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05/27/2026
先进的N沟道设备,专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
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05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持快速的开关性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
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04/14/2026
针对高压运行进行了优化,并可承受快速开关及大电流应力。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET,采用低Rg设计,适用于快速开关应用。
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术,为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
03/27/2026
性能针对应用而优化,可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
03/17/2026
N沟道、标准电平80V或100V MOSFET,具有非常低的导通电阻(RDS(ON))。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造,兼具卓越的热性能。
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
03/05/2026
80V N沟道标准电平设备,热阻优异,PG‑TDSON‑8封装。
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02/19/2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS X4级功率MOSFET
IXYS X4级功率MOSFET
02/02/2026
导通电阻和导通损耗低,效率更高。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管,采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造,具有优异的热性能。
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