STMicroelectronics 最新分立半导体

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STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
09/15/2026
设计用于保护电源线或其他低速I/O免受ESD和小型浪涌瞬变的影响。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
09/26/2025
该电源模块为混合动力与电动汽车的OBC提供带有集成NTC的三相四线PFC拓扑结构。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
09/26/2025
该器件为电动汽车OBC（车载充电器）的DC/DC转换器级提供带有NTC的六块拓扑结构 。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
01/10/2025
专为保护恶劣环境下的敏感电子设备而设计的TVS。
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
01/01/2025
适用于需要高抗扰度和低栅极电流的工业应用。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
10/14/2024
该器件设计用于保护数据线或其他I/O端口免受静电放电瞬变的影响。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
10/08/2024
适合用于集成到车辆或充电站中的充电器应用。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
09/10/2024
汽车用单向瞬态电压抑制器 (TVS)，设计用于恶劣环境。
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
08/09/2024
高品质设计，具有始终如一的可重现特性和内在坚固性。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
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    Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
    Littelfuse AK6-FB Axial Leaded TVS Diodes
    10/05/2026
    Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
    10/05/2026
    Offers a clamping voltage lower than alternative technologies such as MOVs and GDTs.
    Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
    Littelfuse AK8-FB Axial Leaded TVS Diodes
    10/05/2026
    Designed to meet the severe surge-test environment for both AC and DC line-protection applications.
    onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
    onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
    09/17/2026
    80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
    Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
    Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
    09/16/2026
    该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
    09/15/2026
    设计用于保护电源线或其他低速I/O免受ESD和小型浪涌瞬变的影响。
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    09/14/2026
    Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
    onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
    onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
    09/14/2026
    用于GPIO和低压电源线保护的紧凑型2V双向ESD二极管。
    Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
    Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
    09/10/2026
    保护敏感的电子设备免受雷击引起的瞬态电压的影响。
    Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
    Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
    09/09/2026
    旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
    Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
    09/01/2026
    简化并加速数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    08/27/2026
    具有微处理器驱动支持和高抗噪的敏感型SCR。
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    08/25/2026
    具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    08/25/2026
    全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    08/17/2026
    Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
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