绝缘栅双极晶体管(IGBT)

 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管(IGBT Transistor),应有尽有。Mouser Electronics(贸泽电子)是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商,提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管,包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品,请浏览下列产品分类。
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
960在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A 170W
960预期 2027/2/25
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
4,018在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
1,200预期 2026/10/29
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HIGH SPEED SWITCHING
930预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 100 A 333 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
460预期 2026/11/5
最低: 1
倍数: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A
299预期 2026/11/10
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
267预期 2027/6/21
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C IXGH30N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A
300预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 5 V - 20 V, 20 V 32 A 350 W - 55 C + 150 C IXGH32N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 600V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
3,611在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 92 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH36N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 72 Amps 600V 1.35 Rds
550在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH72N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 600V 48A GENX3
600预期 2026/8/26
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 Amps 1700 V 7 V Rds
300预期 2027/4/12
最低: 1
倍数: 1
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 10 A 140 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
300预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXXH50N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
300预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 165 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
300在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1700V 24A DIODE
298预期 2027/4/5
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 58 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 40A GENX3
288预期 2027/1/4
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
297在途量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 8A XPT
390预期 2027/2/2
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 29 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
2,043预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C IXYP20N120 Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 (HV/HE)
800预期 2027/4/23
最低: 1
倍数: 1
: 800

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 685 V 1.56 V 78 A 300 W - 55 C + 175 C FGB5065G2-F085 Reel, Cut Tape

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
10,000预期 2027/6/11
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si DPAK-3 (TO-252-3) - 10 V, 10 V FGD3040G2-F085C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
279预期 2026/11/5
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3-46 Through Hole Single 1.2 kV 1.75 V - 20 V, 20 V 150 A 938 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT2 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
720预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube