绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
493库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
75预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
数据表
179预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
数据表
30在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 833 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
数据表
26预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
数据表
98在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
1,000预期 2026/9/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
1,212预期 2027/1/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
1,000预期 2027/2/12
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
数据表
1,913预期 2027/5/14
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
600预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
1,200预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
数据表
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
600预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package
数据表
180在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V 20 V 97 A 306 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
数据表
396在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
数据表
592预期 2027/8/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
数据表
600预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1400 V, 40 A IGBT discrete with reverse conducting diode in TO-247 3pin package
数据表
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
1,000预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 H5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
数据表
480在途量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT
数据表
240预期 2026/10/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube