绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
结果: 1,756
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
392预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.4 V - 20 V, 20 V 80 A 282 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 WR5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
48预期 2027/5/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
数据表
240预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
420预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
240预期 2026/10/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
240预期 2027/3/25
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 600V 1.05 V Rds
数据表
294预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 48 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
140预期 2027/3/10
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
数据表
产品评论
1,000预期 2027/1/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-262-3 Through Hole Single 430 V 2.1 V 10 V 30 A 125 W - 40 C + 175 C RGP AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
1,200预期 2027/5/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
480预期 2026/11/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
439预期 2026/11/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3-32 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 67 A 136 W - 40 C + 175 C Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3TIGBT TO247 40A 650V
数据表
450预期 2026/8/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
数据表
1工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.47 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65SQDT Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 200 A chopper IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 8
倍数： 8

Chopper IGBT3 - E3 Tray
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 6
倍数： 6

Capsule Type
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 6
倍数： 6
Capsule Type
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 6
倍数： 6
Capsule Type
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 150 A SOT-227
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount 600 V 1.5 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A SOT-227
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 600 V 1.5 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 200 A TO-247 MAX
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 20 V, 20 V 283 A 682 W - 55 C + 175 C Tube