绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
数据表
交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 600
倍数： 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGWT30H60DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube


IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247HV-3 Through Hole Single 3.6 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 70 A 430 W - 55 C + 150 C Tube
Littelfuse 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 42A IGBT
数据表
无库存交货期 59 周
最低： 300
倍数： 30
Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
数据表
无库存交货期 59 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 3KV 32A IGBT
数据表
无库存交货期 59 周
最低： 300
倍数： 30
Tube
Littelfuse 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Tube
Littelfuse 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-264(3)
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 25

- 20 V, 20 V Tube


IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 30A IGBT
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT Single 2.5 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 30 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 320A IGBT
数据表
1,080工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 320 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX8 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 H5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 750 V 1.3 V - 20 V, 20 V 200 A 1.071 kW - 40 C + 175 C Tube