碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,482
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
数据表
1,387库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
数据表
2,423库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350m,1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101
数据表
368库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 75 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement AEC-Q101


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,212库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole 1 Channel 1.2 kV 127 A 14 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 455 W Enhancement
Diodes Incorporated DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
数据表
370库存量
1,000预期 2026/12/28
最低： 1
倍数： 1
最大： 250

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET


Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
数据表
521库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement


Diodes Incorporated 碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
数据表
644库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
数据表
759库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
数据表
685库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
数据表
产品评论
460库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
数据表
327库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 70
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
1,685库存量
2,000预期 2026/11/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 10 A 585 mOhms - 6 V, + 22 V 4 V 27 nC + 175 C 85 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
数据表
739库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
数据表
659库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
数据表
527库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
数据表
562库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
数据表
982库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
数据表
898库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 14 A 364 mOhms - 6 V, + 22 V 4 V 36 nC + 175 C 108 W Enhancement